三星電子駁斥向英偉達(dá)供應(yīng)的HBM內(nèi)存存在裂紋被英偉達(dá)拉黑等謠言 – 藍(lán)點(diǎn)網(wǎng)
近期網(wǎng)上有謠言稱英偉達(dá)永久停止與三星電子合作,星電向英原因是駁斥三星電子向英偉達(dá)供應(yīng)的 HBM 內(nèi)存存在裂紋而導(dǎo)致各種產(chǎn)品出現(xiàn)缺陷。
HBM 指的偉達(dá)紋被網(wǎng)湛頭外圍那個(gè)最漂亮(微信180-4582-8235)提供頂級外圍女上門,可滿足你的一切要求是高帶寬存儲器,是達(dá)拉內(nèi)存的一種類型,可以將多個(gè)芯片堆疊并與 GPU 芯片封裝在一起。內(nèi)存
三星電子是存裂 HBM 內(nèi)存的主要供應(yīng)商之一,相關(guān)的英偉謠流言自然對三星電子產(chǎn)生負(fù)面影響,而消息源并非媒體報(bào)道,藍(lán)點(diǎn)而是星電向英在韓國汝矣島證券交易所的一些分析師發(fā)出來的。

三星電子表示:
在韓國汝矣島證券交易所流傳的 “向 NVIDIA 供應(yīng)的三星電子 HBM 因裂紋而出現(xiàn)整體缺陷” 的謠言毫無根據(jù),整體有缺陷的偉達(dá)紋被網(wǎng)謠言被認(rèn)定為韓國汝矣島證券交易所的一些分析師此前散布的惡意謠言,我們不確定為什么他們會散布這些惡意謠言。達(dá)拉
實(shí)際上謠言不止這些,內(nèi)存最初的存裂 “謠言” 完整的說法是三星電子的 HBM 內(nèi)存存在重大缺陷,導(dǎo)致英偉達(dá)的英偉謠產(chǎn)品受影響,進(jìn)而導(dǎo)致英偉達(dá)拉黑三星電子,不再采用其任何內(nèi)存芯片。
英偉達(dá)采購的 HBM 內(nèi)存最初主要是 SK 海力士供應(yīng)的,而且是獨(dú)家供應(yīng),從今年開始英偉達(dá)接受了三星電子供應(yīng)的 HBM3 內(nèi)存。
不過關(guān)于這些傳言英偉達(dá)并未發(fā)布任何回應(yīng)。
附加內(nèi)容:
HBM:高帶寬存儲器是三星電子、超微半導(dǎo)體和 SK 海力士發(fā)起的一種基于 3D 堆棧工藝的高性能 DRAM,適用于高存儲器帶寬需求的應(yīng)用場合,像是圖形處理器、網(wǎng)絡(luò)交換及轉(zhuǎn)發(fā)設(shè)備等。
HBM3:指的是 HBM 第三個(gè)標(biāo)準(zhǔn),每個(gè)標(biāo)準(zhǔn)里面還有不同的 “代”,所以這里指的并不是第三代。
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