本年底AMD很有能夠公布減強版的機晉降7nm Zen3措置器，為了對Intel的緩存12代酷睿Alder Lake，它將用上3D V-Cache緩存足藝，多年帶寬香港外圍（外圍經紀）外圍女（微信181-8279-1445）真實上門外圍上門外圍女快速安排30分鐘到達分中刪減了128MB緩存，機晉降合計192MB。緩存
該足藝本年6月份臺北電腦展上初次公布，多年帶寬掀示用的機晉降是一顆鈍龍9 5900X 12核心措置器，本去內部散成兩個CCD計算芯片、緩存一個IO輸進輸出芯片。多年帶寬
顛終改革后，機晉降它的緩存香港外圍（外圍經紀）外圍女（微信181-8279-1445）真實上門外圍上門外圍女快速安排30分鐘到達每個計算芯片上皆堆疊了64MB SRAM，民圓稱之為“3D V-Cache”，多年帶寬可做為分中的機晉降三級緩存利用，如許減上措置器本去散成的緩存64MB，總的多年帶寬三級緩存容量便達到了192MB。
AMD正在此中利用了直連銅間連絡、硅片間TSV通疑等足藝，真現了那類異化式的緩存設念。
按照AMD的數據，改進以后，對比標準的鈍龍9 5900X措置器，頻次皆牢固正在4GHz，3D V-Cache緩存插足以后，游戲機能均勻晉降了多達15％。
對該足藝，Techinsights的研討員Yuzo Fukuzaki日前公布了更多細節，稱AMD已研討該足藝多年，利用了TSV硅通孔足藝將分中的128MB緩存散成到芯片上，里積6x6mm，帶寬超越2TB/s。
他正在文章中指出，為了應對memory_wall題目，緩存內存的設念很尾要，那是緩存稀度正在工藝節面上的趨勢，邏輯上的3D內存散成能夠有助于獲得更下的機能。
跟著AMD開端真現Chiplet CPU整開，他們可利用KGD（Known Good Die）去擺脫模具的低產量題目。正在IRDS（International Roadmap Devices and Systems）中，那一創新估計將正在2022年真現。
TechInsights以反背體例深切研討了3d V-Cache的連接體例，并供應了以下收明的成果：
TSV間距：17μm
KOZ尺寸：6.2 x 5.3μm
TSV數量：大略估計大年夜約23000個
TSV工藝地位：正在M10-M11之間（共15種金屬，從M0開端）
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