本月 CMFS2023（中國閃存市場峰會）在深圳舉辦，星討新才現(xiàn)藍(lán)三星、態(tài)硬長江存儲、年內(nèi)到能實(shí)美光、靠封Arm、裝技鎧俠、術(shù)創(chuàng)英特爾、點(diǎn)網(wǎng)紫光展銳、星討新才現(xiàn)藍(lán)Solidigm 等行業(yè)公司參與該峰會。態(tài)硬
目前全球閃存芯片出貨量和營收最高的年內(nèi)到能實(shí)都是三星，但三星在 QLC 閃存上非常謹(jǐn)慎，靠封既然如此那 PLC、裝技HLC、術(shù)創(chuàng)OLC 閃存豈不是點(diǎn)網(wǎng)還要等待很久？
就當(dāng)前來看三星距離推出新的閃存還很遙遠(yuǎn)，不過三星認(rèn)為 1PB 的星討新才現(xiàn)藍(lán)固態(tài)硬盤，可能會在未來 10 年的某個(gè)時(shí)候到來，這需要層疊技術(shù)升級和封裝技術(shù)創(chuàng)新。
三星預(yù)計(jì)還會繼續(xù)增加 3D NAND 的物理縮放和邏輯縮放，物理縮放指的是減少閃存單元體積，讓 NAND 單元體積縮小后可以堆疊更多 NAND 層數(shù)；邏輯縮放指的是增加每個(gè) NAND 單元存儲的位數(shù)。
三星期待更先進(jìn)的 3D NAND IC 封裝技術(shù)，該公司認(rèn)為物理縮放、邏輯縮放和封裝創(chuàng)新將在未來 10 年內(nèi)將固態(tài)硬盤容量提升到 1PB，即 1024TB 或 1048576GB。
在閃存芯片技術(shù)和工藝方面三星相對來說比較謹(jǐn)慎，2017 年三星就推出 3D TLC 的 30.72TB 固態(tài)硬盤，到 2019 年展示 64TB 固態(tài)硬盤，到 2021 年展示基于 3D QLC NAND 的 128TB SSD 原型，不過沒有量產(chǎn)。
三星如此保守的對待 3D QLC NAND 主要是三星希望對閃存控制器進(jìn)行技術(shù)創(chuàng)新，從而將 3D QLC NAND 引入主流市場，換言之，三星似乎還覺得 3D QLC NAND 搭配的控制器還不足以進(jìn)入大范圍使用。
但三星也承認(rèn)指望靠物理縮放 NAND 體積增加堆疊層數(shù)到 1000 層也不能快速增加密度，所以最終要實(shí)現(xiàn)的還是邏輯縮放，即每個(gè) NAND 單元增加更多的位數(shù)。
鎧俠 (原東芝存儲) 對 NAND 邏輯縮放更熱情，早在 2019 年鎧俠就開始討論每個(gè) NAND 單元存儲 5 位 bpc 的 PLC NAND，之后鎧俠工程師還演示了存儲 6 位 bpc 的 3D HLC NAND，鎧俠認(rèn)為 8bpc OLC NAND 存儲器都是可能的。
為了讓每個(gè) NAND 存儲 6 位 bpc，NAND 單元必須保持 64 個(gè)電平，而 8bpc OLC 3D NAND 則需要保持 256 個(gè)電平狀態(tài)，因此每增加一位 bpc 都會給制造商帶來巨大的困難。
困難在哪里呢？材料。
制造商必須找到可以存儲 64 或 256 個(gè)電壓狀態(tài)的材料，還要確保每個(gè)電壓狀態(tài)不會相互干擾；
其次是這種材料必須量大管飽，所以必須容易合成才能滿足使用需要；
第三制造商還必須能夠管理這類保持大量電壓狀態(tài)的 3D NAND 溫度，隨著每個(gè) NAND 位數(shù)的增加，想要將溫度保持在一個(gè)合理的范圍也很困難；
最后：還必須研發(fā)更可靠的閃存控制器，控制器還需要使用更復(fù)雜的 ECC 算法，計(jì)算量暴增也會導(dǎo)致需求的算力增加，所以控制器成本會大幅度提升，制造商還需要解決成本問題。
不過隨著技術(shù)的發(fā)展這些問題最終都是會被解決的，只不過人類需要花費(fèi)更長時(shí)間解決問題，所以消費(fèi)者唯一能做的就是：等。