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三星電子宣布已完成其業內首款GDDR7的研發工作
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簡介7月20日消息,近日三星電子宣布已完成其業內首款GDDR7的研發工作。年內將首先搭載于主要客戶的下一代系統上驗證,從而帶動未來顯卡市場的增長,并進一步鞏固三星電子在該領域的技術地位。繼2022年三星開 ...
7月20日消息,星電宣布近日三星電子宣布已完成其業內首款GDDR7的已完業內研發工作。年內將首先搭載于主要客戶的首款下一代系統上驗證,從而帶動未來顯卡市場的發工增長,并進一步鞏固三星電子在該領域的星電宣布技術地位。

繼2022年三星開發出速度為每秒24千兆比特(Gbps)的已完業內GDDR6 16Gb之后,GDDR7 16Gb產品將提供目前為止三星顯存的首款最高速度32Gbps。同時,發工集成電路(IC)設計和封裝技術的星電宣布創新提升了高速運行下的性能穩定性。
值得一提的已完業內是,三星GDDR7可達到出色的首款每秒1.5太字節(TBps)的帶寬,是發工GDDR6 1.1TBps的1.4倍,并且每個數據I/O(輸入/輸出)口速率可達32Gbps。星電宣布該產品采用脈幅調制(PAM3)信號方式,已完業內取代前幾代產品的首款不歸零(NRZ)信號方式,從而實現性能大幅提升。在相同信號周期內,PAM3信號方式可比NRZ信號方式多傳輸50%的數據。
另外,GDDR7的設計采用了適合高速運行的節能技術,相比GDDR6能效提高了20%。針對筆記本電腦等注重功耗的設備,三星提供了一個低工作電壓的選項。
為最大限度地減少顯存芯片發熱,除集成電路(IC)架構優化外,三星還在封裝材料中使用具有高導熱性的環氧成型化合物(EMC)材料。與GDDR6相比,這些改進不僅顯著降低70%的熱阻,還幫助GDDR7在高速運行的情況下,實現穩定的性能表現。

繼2022年三星開發出速度為每秒24千兆比特(Gbps)的已完業內GDDR6 16Gb之后,GDDR7 16Gb產品將提供目前為止三星顯存的首款最高速度32Gbps。同時,發工集成電路(IC)設計和封裝技術的星電宣布創新提升了高速運行下的性能穩定性。
值得一提的已完業內是,三星GDDR7可達到出色的首款每秒1.5太字節(TBps)的帶寬,是發工GDDR6 1.1TBps的1.4倍,并且每個數據I/O(輸入/輸出)口速率可達32Gbps。星電宣布該產品采用脈幅調制(PAM3)信號方式,已完業內取代前幾代產品的首款不歸零(NRZ)信號方式,從而實現性能大幅提升。在相同信號周期內,PAM3信號方式可比NRZ信號方式多傳輸50%的數據。
另外,GDDR7的設計采用了適合高速運行的節能技術,相比GDDR6能效提高了20%。針對筆記本電腦等注重功耗的設備,三星提供了一個低工作電壓的選項。
為最大限度地減少顯存芯片發熱,除集成電路(IC)架構優化外,三星還在封裝材料中使用具有高導熱性的環氧成型化合物(EMC)材料。與GDDR6相比,這些改進不僅顯著降低70%的熱阻,還幫助GDDR7在高速運行的情況下,實現穩定的性能表現。
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